稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 图 稳压二极管应用...

(1)稳定电压VZ在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 (2)动态电阻rZ其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rz=△VZ/△IZ (3)最大耗散功率PZM稳压管...

稳压管是一种特殊的面接触型硅二极管。稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样，稳压管工作于反向击穿区。 图1 稳压管的伏安特性 图2 稳压二极管 图3 稳压二极管1...

半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下： (1)最大整流电流IF二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。 (2)反向击穿电压VBR...

(1)正向特性 当V＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 硅二极管的死区电压Vth=0.5V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.1V左右。 (2)反向...

图 半导体二极管基本结构及符号...

半导体中的载流子有两种有序运动：载流子在浓度差作用下的扩散运动和电场作用下的漂移运动。同一块半导体单晶上形成P型和N型半导体区域，在这两个区域的交界处，当多子扩散与少子漂移达到动态平衡时，空间电荷区（亦称为耗尽层或势垒区）的宽度基本上稳定下...

在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。 图 PN结处载流子的运动...

在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。 使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N型半导体，使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P型半导体。 N型半导体：掺入微量5价元素（磷） 多子：电子 少子：空穴 P型半导体：掺入微...

实际应用最多的半导体是硅和锗，它们原子的最外层电子（价电子）都是四个。完全纯净的、结构完整的半导体，称为本征半导体（晶体结构）。 （1）硅和锗的晶体结构 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原...

1、信号发生器：用于提供测量的各种波形信号，如：LF、HF、脉冲、函数、扫频及噪声信号发生器； 图1 任意波形发生器 2、信号分析仪：用于观测、分析和记录各种电量的变化，包括时域、频域和数据域分析仪； 图2 数字示波器 图3 频谱仪 图4 逻辑分析仪 3、频率...

1、测量频率范围宽。被测信号的频率范围除测量直流外，测量交流信号的频率范围低至10-6Hz以下，高至THz（1THz=1012Hz） 2、量程范围宽。如数字万用表对电压测量由纳伏（nV）级至千伏（kV）级电压，量程达12个数量级 3、测量准确度高。例如，用电子测量方法对...

电子测量是泛指以电子技术为基本手段的一种测量技术。它是测量学和电子学相互结合的产物。电子测量的分类：广义电子测量，狭义电子测量。 广义电子测量包括电量和非电量的测量，如图1所示。 图1 电子测量示意图 具体的测量对象来分类的就是狭义电子测量内容...

电路仿真 电路仿真是以电路理论、数值计算方法和计算机技术为基础，采用仿真模型和仿真算法，通过计算机分析计算，然后以波形、图表等形式显示电路的仿真结果。电路仿真是在电路模型上所进行的系统性能分析与研究的方法，其遵循的基本原则是相似原理。电路仿...

电气相关的设计规则 Electrical（电气）设计规则设置在电路板布线过程中所遵循的电气方面的规则，包括4个方面 电气相关的设计规则安全间距 Clearance安全间距设计规则用于设定在PCB的设计中导线、导孔、焊盘、矩形敷铜填充等组件相互之间的安全距离。 具体步...