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晶体管的输入特性和输出特性

时间:2017-04-27 08:40来源:www.eadianqi.com 编辑:自动控制网
晶体管的输入特性和输出特性表明各电极之间电流与电压的关系。现以共射电路为例说明。 (1)共射输入特性:iB=f(uBE)︱VCE=常数如P24图1所示。输入特性曲线分为三个区:死区、非线性区和线性区。其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE1V时,

晶体管的输入特性和输出特性表明各电极之间电流与电压的关系。现以共射电路为例说明。
(1)共射输入特性:iB=f (uBE)︱VCE=常数  如P24图1所示。输入特性曲线分为三个区:死区、非线性区和线性区。其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE≥1V时,特性曲线将会向右稍微移动一些。但vCE再增加时,曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致,右移不明显说明内部反馈很小。

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图1 输入特性 本文来自www.eadianqi.com

    (2)共射输出特性:iC=f (uCE)︱iB =常数  如P25图2所示,它是以iB为参变量的一族特性曲线。对于其中某一条曲线,当vCE=0 V时,iC=0;当vCE微微增大时,iC主要由vCE决定;当vCE增加到使集电结反偏电压较大时,特性曲线进入与vCE轴基本平行的区域(这与输入特性曲线随vCE增大而右移的原因是一致的)。因此,输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区、截止区和放大区。

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图2 输出特性1 自动控制网www.eadianqi.com版权所有


图3 输出特性2 本文来自www.eadianqi.com


图4 输出特性3

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